FGH40N60SFDTU ON Semiconductor купить | DM Electronics
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Технические параметры
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 115
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 5
Вес, г 7.5
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 115
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 5
Вес, г 7.5