FGH40N60SMD ON Semiconductor купить | DM Electronics
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Технические параметры
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-247
Дополнительные опции com, ess
Вес, г 7.5
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-247
Дополнительные опции com, ess
Вес, г 7.5