FGH60N60SMD ON Semiconductor купить | Electronics digital marketplace

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W

 
FGH60N60SMD ON Semiconductor

Технические параметры
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 104
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-247
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 4.5
Дополнительные опции встроенный быстродействующий диод
Вес, г 7.5
Приобрести FGH60N60SMD ON Semiconductor

 

 
alt: Datasheet