STGB10NB37LZT4 ST Microelectronics купить | Electronics digital marketplace
Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Технические параметры
Технология/семейство powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 440
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 1300
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 8000
Рабочая температура (Tj), °C -65…+175
Корпус d2-pak
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 2.4
Вес, г 2.5
Технология/семейство powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 440
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 1300
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 8000
Рабочая температура (Tj), °C -65…+175
Корпус d2-pak
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 2.4
Вес, г 2.5